伏安特性。紅外發P4KE12光二極管的伏安特性如圖3- 30 (a)所示，由圖可見，它和普通二極管的特性十分相似。

   圖3- 30紅外二極管的伏安特性和輸出特性曲線

   紅外發光二極管的正向壓降U，與所用材料及通過的正向電流有關。砷化鎵紅外發光二極管的正向壓降在1～2V;小功率管的正向壓降在1～1. 3V;中功率管的正向壓降在1.6～1. 8V;大功率管的正向壓降≤2V。在使用時應注意驅動電源電壓的數值應大于紅外發光二極管的正向壓降UF，否則不能克服死區電壓產生的正向電流IF。

   紅外發光二極管的反向擊穿電壓UR較低，約為5～30V。因此，使用中要注意其反向電壓不得超過5V，否則可能造成元器件損壞。所以，在實際使用中需加限流電阻予以保護。