- 離子注人相關理論基礎2017/5/15 21:14:26 2017/5/15 21:14:26
- 在集成電路制造中,注入離子的能量一般為5~500keV.而注入的叉往往是重離子。這樣的注人情況,進人靶內的離子不僅與靶內的自由電子和束縛電子發生相互作用,而且與靶內原子核發生相互作用。PA905...[全文]
- 表面外延過程2017/5/9 21:41:45 2017/5/9 21:41:45
- 此表面外延過程示意圖如圖⒊6所示。氣相質LD1117S18TR量傳遞到達襯底表面的sH1分子被襯底吸附,見圖⒊6巾的1;由于襯底溫度高,使得襯底吸附的SiFI4分解成為1個⒊原子和4個H...[全文]
- 硅晶體缺陷 2017/5/7 16:44:13 2017/5/7 16:44:13
- 在微電子產品中作為襯底材料的硅是高度完整的晶體。盡管如此,在高度完整的晶體內部也會存在微量缺陷。而且,在制作微電子產品的工藝過程中,GA1L4M-T1硅晶體內也會產生缺陷,并且會根據需要人為地摻...[全文]
- 化學氣相淀積等新工藝2017/5/6 17:38:49 2017/5/6 17:38:49
- 1960年外延技術出現,誕生了外延晶體管。20世紀7o年代初,美國研制出第一臺離子注人機,NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域摻雜更精確、更均勻,可以在更薄的表面層內實現精確摻雜,由此集...[全文]
- FY-1電子學系統2017/5/4 19:38:23 2017/5/4 19:38:23
- FY-1電子學系統(圖5-33)可見光前置放大器置于掃描器后部,紅外前置放大器裝在靠近輻冷器的衛星體適當位置。Q71800020000099接收的目標輻射經光學系統會聚在光電探測器...[全文]
- 對于確保我國靜止氣象衛星觀測業務的連續穩定運行具有重要的意義2017/5/3 21:43:50 2017/5/3 21:43:50
- 到2012年為止中國已成功發射6顆地球靜止氣象衛星,其中01批衛星FY-2A、FY-2B和FY-2C已停止工作,脫離了地球同步軌道。M29F002BT-70K1目前在軌運行,并提供應用服務的是∞...[全文]
- 捕獲區的要求2017/5/2 21:22:24 2017/5/2 21:22:24
- 捕獲區的要求。捕獲區M25P16-VMF6P是用來捕獲目標的,要求捕獲區有一定寬度,以防止丟失目標。這一段特性可呈下降形式,也可使特性曲線在整個視場內都呈單調上升形式。跟蹤系統的最大跟蹤角速度、...[全文]
- 非軸對稱光學系統的畸變校正2017/5/1 14:13:15 2017/5/1 14:13:15
- 前面分析的畸變校正方法,只適用于光學畸變關于中心視場對稱的情況,也就是要H11G2SR2M求光學系統為軸對稱系統,而對于目前被廣泛采用的非軸對稱系統(各種離軸光學系統),其光學畸變是不對稱的,例...[全文]
- 亮場掩模版2017/4/29 12:52:03 2017/4/29 12:52:03
- 亮場掩模版(clearfieldmask)：-種掩模版，其上的圖形由不透明區域決定。ADC12762CCV集簇設備(clustertool)：幾個I：藝機臺或設備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系...[全文]
- 紅外輻射背景2017/4/26 23:08:22 2017/4/26 23:08:22
- 紅外光電系統尤其是天基紅外光電系統的各種紅外輻射背景(雜散光),根據其空間特性、S29AL016D70TFI020光譜特性和時間特性不同有不同的分類方法,如圖4-2所示。按照雜散光的發散、匯聚程...[全文]
- 紅外探測器的性能指標2017/4/24 21:22:09 2017/4/24 21:22:09
- 探測器的性能參數有響應率、噪聲等效功率、探測率、比探測率、光譜響應特性、響應EZJS1VC392時間、響應頻率、噪聲等。其中最為重要的是比探測率和噪聲。紅外探測器的噪聲...[全文]
- 光電導探測器2017/4/23 19:59:22 2017/4/23 19:59:22
- 光電導探測器:把光電導探測器看作電路中的一個元件時,其特性很像一個可變電阻器。FAN7530N探測器與負載電阻和偏壓電源串聯:當有輻射照射到探測器上時,光子引起探測器電導率的變化調制了流經探測器...[全文]
- 何謂輻射度學?其基本物理量有哪些?2016/10/29 21:18:19 2016/10/29 21:18:19
- 1.何謂輻射度學?其基本物理量有哪些?AAT3236IGV-2.85-T12.何謂光度學?其基本物理量有哪些?3.輻射度學與光度學的根本區別是什么?4,...[全文]
- FED的制作工藝2016/9/28 20:31:19 2016/9/28 20:31:19
- 微尖的制作過程如下:(1)制作導電基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02絕緣層以及柵極(Mo)的三層結構,如圖4-6所示。(2)柵極光刻和反應離子刻蝕過程...[全文]
- 注意事項2016/9/23 23:03:33 2016/9/23 23:03:33
- 注意事項。①每天的第一次開機必須H57V2562GTR-60C先作一次預熱(Ⅵ飴rmUp);兩次使用間隔超過1h也必須作一次W衍ltlUp。②開啟X-Ray后,等X-...[全文]
- 封裝比的概念2016/9/10 17:14:24 2016/9/10 17:14:24
- 衡量集成電路制造技術的先進性,除了集成度(門數、最大yo數量)、電路技術、特征尺寸、MA4AGSW4電氣性能(時鐘頻率、工作電壓、功耗)外,還有集成電路的封裝。由本節前面內容可以看...[全文]
- 工藝文件的編制方法2016/9/4 16:46:53 2016/9/4 16:46:53
- (1)要仔細分析設計文件的技術條件、技術說明、原理圖、安裝圖、接線圖、線扎圖ICS9LP505-1HGLFT及有關的零件、部件圖等。將這些圖中的安裝關系與焊接要求仔細弄清楚。(2)...[全文]
- 微型計算機系統的構成2016/7/25 20:25:27 2016/7/25 20:25:27
- (l)微型計算機微型計算機結構框圖如圖12.11所示。由圖可KMS15-24知:一臺微型計算機主要由微處理器CPU、存儲器、輸入/輸出接口電路及系統總線(虛線上的部分...[全文]
- 單片機應用系統的制版2016/7/23 19:17:10 2016/7/23 19:17:10
- 將設計的硬件電路通過EDA(如Prote1等)繪制原理圖,并形成PCB制板圖,最后檢ICL7650SCBA-1ZT驗無誤后將PCB圖交給制版公司,加工制造電路板。單片機應用系統的調...[全文]
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