Raspberry Pi主機，以高達120 FPS的速度進行快速3D傳感，從而能夠對快速移動的物體進行高精度、低延遲的三維點云數據測量。在其他特定主機上亦可實現并支持更高的速度（即>600fps）。

DK-ILT001外形小巧輕便[44（寬）×24（深）×16（高）mm，重16g]，支持開發緊湊型3D傳感系統。該系統可輕松附著于包括移動物體在內的許多設備上，并由價格不貴的Raspberry Pi設備進行托管。

DK-ILT001隨附一個面向OpenCV、PCL、ROS和Unity，以及C++和Python的軟件API。這簡化了對具有更高水平3D性能的新應用的評估和開發。

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導通電阻: 800 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 286 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: XPB180N04

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 58 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 24 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 67 ns

典型接通延遲時間: 53 ns

零件號別名: IPB180N04S4-00 SP000646176

單位重量: 1.600 g

100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術，此技術適用的應用領域非常廣泛，包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。

在100V工作時，此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比，Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能，同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。

客戶最終可以受益于更小的系統占用空間和更低的系統成本。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）