型號：IRF7341TRPBF

品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：4.7A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫歐 @ 4.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：740pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7341PBFTR
標準包裝：4,000
封裝：SOP8
數量：15000
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列場效應管，公司授權分銷，正品原裝 ，品質保證，現貨供應IRF7341 IRF7341TRPBF，公司為一般納稅人，可以開17%增值稅票，歡迎廣大客戶朋友咨詢洽談。


描述：

國際整流器第五代HEXFETs利用先進的加工技術，以實現極低的導通電阻每硅片面積。這益處，

結合快速開關速度和堅固耐用的設備的設計，HEXFET功率MOSFET是眾所周知的，為設計者提供

用一個非常有效和可靠的裝置，用于使用在各種各樣的應用中。

采用SO-8已經通過定制進行了修改引線框架用于增強熱性能和多模能力使它成為理想的各種電源應用。

有了這些改進，多設備可用于在應用程序中使用顯著減少了電路板空間。該軟件包是專為氣相，紅外

或波峰焊技術。大于0.8W的功耗有可能在一個典型的印刷電路板安裝的應用程序。

特點：
•第五代技術
•超低導通電阻
•雙N溝道MOSFET
•表面貼裝
•可在磁帶卷&
•動態的dv / dt額定值l快速開關
•LEAD -FREE