品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：80V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：3.6A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：73 毫歐 @ 2.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：660pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7380TRPBF-NDIRF7380TRPBFTR
標準包裝：4,000
封裝：SOP8
數量：15000
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列場效應管，公司授權分銷，正品原裝 ，品質保證
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描述：
低柵極到漏極電荷降低
開關損耗
充分界定電容含
有效的COSS為簡化設計
充分界定雪崩電壓和電流
