數據列表
STM8S003K3/F3;
標準包裝
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3,000
包裝
標準卷帶
類別
集成電路（IC）
產品族
嵌入式 - 微控制器
系列
STM8S
核心處理器
STM8
核心尺寸
8-位
速度
16MHz
連接性
I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART
外設
欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT
I/O 數
16
程序存儲容量
8KB（8K x 8）
程序存儲器類型
閃存
EEPROM 容量
128 x 8
RAM 容量
1K x 8
電壓 - 電源（Vcc/Vdd）
2.95 V ~ 5.5 V
數據轉換器
A/D 5x10b
振蕩器類型
內部
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
封裝/外殼
20-UFQFN
目前，半導體制程最尖端為10nm工藝，而面向預計年內上市的蘋果
“iPhone 8”，則由臺積電的10nm CPU(中央處理器)獨家獲得訂單。
新一代的7納米芯片除了智能手機之外，在支撐人工智能(AI)的數據中
心領域，需求也有望擴大。
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在公開資料的制程工藝進展中，GF和臺積電的7nm進展最速，由此，
傳出高通把驍龍845的代工轉交給了臺積電，而和好伙伴三星分道揚鑣。
據外媒報道，三星半導體高管，營銷副總裁Sanghyun Lee透露，我們
的7nm EUV極紫外光刻技術會是完整的EUV技術。當我們在明年推出
該技術的時候，我們將在生產良率和價格上超過他們(臺積電)。
同時，該人士還表示，純代工的營收也有信心反超天字一號TSMC。
目前，三星正提供最先進的10nm芯片代工，包括兩款已經上市的驍
龍835和Exynos 8895。
另外，明年上半年，三星計劃先進入8nm工藝，隨后才是7nm。
看著兩個后進生如此你爭我奪，不知道依然致力于優化14nm的Intel
做何感想。
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