產品描述：SST26VF016B-104I/SM

串行Quad I / O™（SQI™）系列閃存
設備具有六線，4位I / O接口，
允許低功耗，高性能的運行
低引腳數封裝。 SST26VF016B還支持
完全兼容傳統串行命令集
外圍接口（SPI）協議。系統設計
使用SQI閃存設備占用的電路板空間更少，并且
最終降低系統成本。
SQI系列26系列的所有成員均采用專有的高性能CMOSSuperFlash®技術制造。與替代方法相比，分裂門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器具有更高的可靠性和可制造性。
SST26VF016B-104I/SM顯著提高了性能并
可靠性，同時降低功耗。這些
設備用單電源寫入（編程或擦除）
電源電壓為2.3-3.6V。消耗的總能量為
施加電壓，電流和時間的函數
應用。由于對于任何給定的電壓范圍，
SuperFlash技術使用較少的電流進行編程
并且擦除時間更短，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量更少
比其他閃存技術
SST26VF016B-104I/SM提供8觸點WDFN（6 mm x
5毫米），8引腳SOIJ（5.28毫米）和8引腳SOIC
（3.90毫米）。有關引腳分配，請參見圖2-1至2-3。


特征：SST26VF016B-104I/SM
•單電壓讀寫操作
-2.7-3.6V或2.3-3.6V
•串行接口架構
-半串行多路I / O，具有類似SPI的串行
命令結構
-模式0和模式3
-x1 / x2 / x4串行外圍設備接口（SPI）協議
•高速時鐘頻率
-2.7-3.6V：最大104 MHz
-2.3-3.6V：最大80 MHz
•連拍模式
-連續線性爆發
-具有環繞功能的8/16/32/64字節線性突發
•高可靠性
-續航力：100,000次（分鐘）
-超過100年的數據保留
•低功耗：
-有效讀取電流：15 mA（典型值@ 104 MHz）
-待機電流：15 μA（典型值）
•快速擦除時間
-扇區/塊擦除：18 ms（典型值），25 ms（最大）
-芯片擦除：35毫秒（典型值），50毫秒（最大）
•頁面程序
-在x1或x4模式下每頁256字節
•寫入結束檢測
-軟件輪詢狀態寄存器中的BUSY位
•靈活的擦除能力
-統一的4 KB扇區
-四個8 KB的頂部和底部參數覆蓋
塊
-一個32 KB的頂部和底部覆蓋塊
-統一的64 KB覆蓋塊
•寫掛起
-暫停程序或擦除操作以訪問
另一個街區/部門
•軟件重置（RST）模式
•軟件寫保護
-具有永久性的個人塊寫保護
鎖定能力
-64 KB塊，兩個32 KB塊和
八個8 KB參數塊
-讀取頂部和底部8 KB的保護
參數塊
•安全ID
-一次性可編程（OTP）2 KB，
安全ID
-64位獨特，出廠預編程
識別碼
-用戶可編程區域
• 溫度范圍
-工業：-40°C至+ 85°C
-擴展：-40°C至+ 105°C
•汽車AECQ-100 2級和3級
•提供包裝
-8觸點WDFN（6mm x 5mm）
-8引腳SOIJ（5.28毫米）
-8引腳SOIC（3.90毫米）
•所有設備均符合RoHS要求

SST26VF016B-104I/SM

制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Tube
存儲類型: NOR
商標: Microchip Technology
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 90
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg