半導體工藝技術。分裂門電池設計和厚氧化物隧穿注入器
為SST的客戶帶來了顯著的成本和可靠性優勢。設備使用8051指令集
并且與標準8051微控制器器件引腳兼容。
這些器件帶有72 KB的片上閃存EEPROM程序存儲器，該存儲器被劃分為
2個獨立的程序存儲塊。主塊0占用內部程序的64 KB
存儲空間，輔助塊1占用8 KB內部程序存儲空間。
可以將8 KB的輔助塊映射到64 KB地址空間的最低位置。它
也可以從程序計數器中隱藏，并用作類似EEPROM的獨立數據存儲器。
除了片上72 KB的EEPROM程序存儲器和片內RAM的1024 x8位之外，
這些設備可以尋址高達64 KB的外部程序存儲器和高達64 KB的外部程序存儲器
內存。
可以通過安裝的標準87C5x OTP EPROM編程器對閃存模塊進行編程
帶有專用適配器和SST設備的固件。上電復位期間，設備可以
配置為源代碼存儲的外部主機的從屬設備或外部主機的主服務器
用于應用程序內編程（IAP）操作。器件設計為在印刷電路板上進行系統內和應用內編程，以實現最大的靈活性。使用存儲器中的引導程序加載器示例對設備進行預編程，以演示初始用戶程序代碼加載或隨后通過IAP操作進行的用戶代碼更新。引導程序示例
加載程序僅供用戶參考和方便； SST不保證其功能或有用性。芯片擦除或塊擦除操作將擦除預編程的示例代碼。
SST89E516RD2-40-I-TQJE和SST89V516RDx是FlashFlex系列的成員
SST專利設計和制造的8位微控制器產品
以及專有的SuperFlash CMOS半導體工藝技術。分離門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器為SST的客戶提供了顯著的成本和可靠性優勢。設備使用8051指令集和
與標準8051微控制器器件引腳兼容。
特征：SST89E516RD2-40-I-TQJE
•8位8051兼容微控制器（MCU），具有
嵌入式SuperFlash存儲器
–完全兼容軟件
–兼容的開發工具集
–引腳兼容引腳封裝
•SST89E516RD2操作
– 5V時為0至40 MHz
•SST89V516RD2操作
– 3V時為0至33 MHz
•1 KB內部RAM
•雙塊SuperFlash EEPROM
– 64 KB主塊+
8 KB輔助塊
（兩個塊的128字節扇區大小）
–帶有軟鎖的獨立塊安全鎖
–期間并發運行
應用內編程（IAP）
– IAP期間支持中斷的內存覆蓋
•支持外部地址范圍高達64 KB
程序和數據存儲器
•三個高電流驅動器端口（每個16 mA）
•三個16位定時器/計數器
•全雙工，增強型UART
–幀錯誤檢測
–自動地址識別
•四個優先級的十個中斷源
–四個外部中斷輸入
•可編程看門狗定時器（WDT）
•可編程計數器陣列（PCA）
•四個8位I / O端口（32個I / O引腳）和
1個4位端口
•第二DPTR寄存器
•低EMI模式（禁止ALE）
•SPI串行接口
•每個周期標準12個時鐘，設備具有一個
選項可將速度提高一倍至每個周期6個時鐘。
•TTL和CMOS兼容邏輯電平
•掉電檢測
•低功耗模式
–具有外部中斷喚醒功能的掉電模式
–空閑模式
•溫度范圍：SST89E516RD2-40-I-TQJE
–商業（0°C至+ 70°C）
–工業（-40°C至+ 85°C）
•提供包裝
– 40觸點WQFN（端口4功能不可用）
– 44引腳PLCC
– 40針PDIP（端口4功能不可用）
– 44引線TQFP
•所有非Pb（無鉛）設備均符合RoHS要求
制造商: Microchip
產品種類: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 詳細信息
系列: SST89E516
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TQFP-44
核心: 8051
程序存儲器大小: 64 kB
數據總線寬度: 8 bit
ADC分辨率: No ADC
最大時鐘頻率: 40 MHz
輸入/輸出端數量: 32 I/O
數據 RAM 大小: 1 kB
工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
高度: 1.05 (Max) mm
長度: 10 (Max) mm
程序存儲器類型: Flash
寬度: 10 (Max) mm
商標: Microchip Technology
數據 ROM 大小: 128 B
數據 Rom 類型: EEPROM
接口類型: SPI/UART
濕度敏感性: Yes
計時器/計數器數量: 3 Timer
處理器系列: FlashFlex
產品類型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 160
子類別: Microcontrollers - MCU
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2.7 V
