產品描述：SST26VF032BT-104I/SM
串行Quad I / O™（SQI™）系列閃存器件具有六線，4位I / O接口，可用于
低功耗，低功耗，高性能運行
包。 SST26VF032BT-104I/SM / 032BA還支持與傳統串行外圍設備接口（SPI）協議的完全命令集兼容性。使用SQI Flash的系統設計
設備占用的電路板空間更少，最終降低
系統成本。
SQI系列26系列的所有成員均已制造
具有專有的高性能CMOSSuperFlash®
技術。分離門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器具有更高的可靠性和可制造性
與其他方法相比。
SST26VF032BT-104I/SM / 032BA顯著提高性能
和可靠性，同時降低功耗。這些
設備使用單個電源寫入（編程或擦除）
為2.3-3.6V。消耗的總能量是
施加的電壓，電流和施加時間。因此
在任何給定的電壓范圍內，SuperFlash技術都會使用
編程電流更少，擦除時間更短，
在任何“擦除”或“編程”操作期間消耗的總能量小于替代閃存技術。
可根據要求提供兩種配置。
SST26VF032BT-104I/SM上電時默認具有WP＃和
啟用HOLD＃引腳，以及SIO2和SIO3引腳
禁用，以啟動SPI協議操作。
SST26VF032BA上電時默認具有WP＃和
HOLD＃引腳被禁用，SIO2和SIO3引腳
啟用，以啟動Quad I / O操作。看到
第4.5.8節“ I / O配置（IOC）”中的更多內容
有關配置WP＃/ HOLD＃和SIO2 /的信息
SIO3引腳。有關引腳分配，請參見圖2-1。
特征：SST26VF032BT-104I/SM
•單電壓讀寫操作：
-2.7V-3.6V或2.3V-3.6V
•串行接口體系結構：
-半串行多路I / O，具有類似SPI的串行
命令結構
-模式0和模式3
-x1 / x2 / x4串行外圍設備接口（SPI）協議
•高速時鐘頻率：
-2.7V-3.6V：最大104 MHz
-2.3V-3.6V：最高80 MHz
•連拍模式：SST26VF032BT-104I/SM
-連續線性爆發
-具有環繞功能的8/16/32/64字節線性突發
•高可靠性：
-續航力：100,000次以上
-超過100年的數據保留
•低功耗：
-有效讀取電流：15 mA（典型值@ 104 MHz）
-待機電流：15 μA（典型值）
•快速擦除時間：
-扇區/塊擦除：18毫秒（典型值），25毫秒
（最大）
-芯片擦除：35毫秒（典型值），50毫秒（最大）
•頁面程序：
-在x1或x4模式下每頁256字節
•寫入結束檢測：SST26VF032BT-104I/SM
-狀態寄存器中的軟件輪詢BUSY位
•靈活的擦除功能：
-統一的4 KB扇區
-四個8 KB的頂部和底部參數覆蓋
塊
-一個32 KB的頂部和底部覆蓋塊
-統一的64 KB覆蓋塊
•寫掛起：
-暫停程序或擦除操作以訪問
另一個街區/部門
•軟件重置（RST）模式
•軟件寫保護：
-具有永久性的個人塊寫保護
鎖定能力
-64 KB塊，兩個32 KB塊和
八個8 KB參數塊
-讀取頂部和底部8 KB的保護
參數塊
•安全ID：SST26VF032BT-104I/SM
-一次性可編程（OTP）2 KB安全ID：
-64位唯一的工廠預編程標識符
-用戶可編程區域
• 溫度范圍：
-工業：-40°C至+ 85°C
-工業級：-40°C至+ 105°C
-擴展：-40°C至+ 125°C
•汽車AEC-Q100 1級，2級和
3年級
•可用軟件包：SST26VF032BT-104I/SM
-8觸點WDFN（6毫米x 5毫米）
-8引腳SOIJ（5.28毫米）
-24球TBGA（6毫米x 8毫米）
•所有設備均符合RoHS要求
制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
接口類型: SPI, SQI
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
存儲類型: NOR
商標: Microchip Technology
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 2100
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
