產品描述
SST的串行閃存系列具有與SPI兼容的四線接口，允許低引腳數的封裝占用更少的電路板空間，并最終降低系統總成本。SST25VF010A-33-4I-SAE SPI串行閃存采用SST專有的高性能制造
CMOS SuperFlash技術。分裂柵電池設計和厚氧化物隧穿注入器
與替代方法相比，具有更高的可靠性和可制造性。
SST25VF010A-33-4I-SAE器件顯著提高了性能，同時降低了功耗。
消耗的總能量是施加的電壓，電流和施加時間的函數。
由于對于任何給定的電壓范圍，SuperFlash技術都使用較少的電流來編程和
具有較短的擦除時間，任何擦除或編程操作期間消耗的總能量為
少于替代閃存技術。 SST25VF010A-33-4I-SAE器件可通過單個電源運行
2.7-3.6V電源。
SST25VF010A-33-4I-SAE器件提供8引腳SOIC和8觸點WSON封裝。見圖
引腳分配為1。
SST的串行閃存系列具有四線，SPI兼容接口，可實現
低引腳數的封裝占用更少的電路板空間并最終降低
系統總成本。 SST25VF010A-33-4I-SAE SPI串行閃存與
SST專有的高性能CMOS SuperFlash技術。分離門
與其他方法相比，電池設計和厚氧化物隧道噴射器具有更好的可靠性和可制造性。
特征：SST25VF010A-33-4I-SAE
•2.7-3.6V單次讀寫操作
•串行接口架構
– SPI兼容：模式0和模式3
•33 MHz最大時鐘頻率
•高可靠性
–續航力：100,000個循環（典型）
–超過100年的數據保留
•低功耗：
–有效讀取電流：7 mA（典型值）
–待機電流：8 μA（典型值）
•靈活的擦除能力
–統一的4 KB扇區
–統一的32 KB覆蓋塊
•快速擦除和字節程序：
–芯片擦除時間：70毫秒（典型值）
–扇區擦除或塊擦除時間：18毫秒（典型值）
–字節編程時間：14 μs（典型值）
•自動地址遞增（AAI）編程
–減少了字節編程操作的總芯片編程時間
•寫入結束檢測
–軟件狀態
•保持銷（HOLD＃）
–將串行序列掛起到存儲器
無需取消選擇設備
•寫保護（WP＃）
–啟用/禁用狀態的鎖定功能
寄存器
•軟件寫保護
–通過狀態中的塊保護位進行寫保護
寄存器
• 溫度范圍
–商業：0°C至+ 70°C
–工業：-40°C至+ 85°C
–擴展：-20°C至+ 85°C
•提供包裝
– 8引線SOIC 150密耳寬度
– 8觸點WSON（5mm x 6mm）
•所有非Pb（無鉛）設備均符合RoHS要求
制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SST25VF
存儲容量: 1 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 10 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 33 MHz
組織: 128 k x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
存儲類型: Serial Flash
速度: 33 MHz
類型: No Boot Block
結構: Sector
商標: Microchip Technology
電源電流—最大值: 10 mA
濕度敏感性: Yes
產品類型: NOR Flash
標準: Not Supported
工廠包裝數量: 100
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
