SPI兼容接口，可實現低引腳數
該封裝占用的電路板空間更少，并最終降低了系統總成本。 SST25VF040B-50-4I-S2AF
通過改進的工作頻率和更低的功耗來增強設備。
SST25VF040B-50-4I-S2AF SPI串行閃存采用專有的高性能CMOS制造
SuperFlash®技術。分裂門單元設計和
厚氧化物隧道噴射器具有更高的可靠性
與替代方法相比的可制造性。
SST25VF040B-50-4I-S2AF器件顯著提高了性能和可靠性，同時降低了功耗。設備通過一次寫入（編程或擦除）
SST25VF040B-50-4I-S2AF的2.7V-3.6V電源。總數
消耗的能量是施加電壓的函數，
申請時間和時間。因為對于任何給定
電壓范圍內，SuperFlash技術使用更少
電流編程，擦除時間更短，
任何擦除或編程期間消耗的總能量
操作少于替代閃存技術
特征：SST25VF040B-50-4I-S2AF
•單電壓讀寫操作：
-2.7V至3.6V
•串行接口體系結構：
-兼容SPI：模式0和模式3
•高速時鐘頻率：
-高達50 MHz
•高可靠性：
-續航力：100,000次循環（典型）
-超過100年的數據保留
•低功耗：
-主動讀取電流：10 mA（典型值）
-待機電流：5 μA（典型值）
•靈活的擦除功能：
-統一的4 KB扇區
-統一的32 KB覆蓋塊
-統一的64 KB覆蓋塊
•快速擦除和字節程序：
-芯片擦除時間：35毫秒（典型值）
-扇區/塊擦除時間：18 ms（典型值）
-字節編程時間：7 μs（典型值）
•自動地址遞增（AAI）編程：
-減少總的芯片編程時間
字節程序操作
•寫結束檢測：
-軟件輪詢狀態中的BUSY位
寄存器
-在AAI模式下SO引腳上的忙狀態讀數
•保持銷（HOLD＃）：
-將串行序列掛起到存儲器
無需取消選擇設備
•寫保護（WP＃）：
-啟用/禁用以下功能的鎖定功能
狀態寄存器
•軟件寫保護：
-通過塊保護位進行寫保護
在狀態寄存器中
• 溫度范圍：
-商業：0°C至+ 70°C
-工業：-40°C至+ 85°C
•所有設備均符合RoHS要求
配套
•8引線SOIC（208密耳），8引線SOIC（150密耳）
和8觸點WSON（6毫米x 5毫米）
制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SST25VF
存儲容量: 4 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 15 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 50 MHz
組織: 512 k x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
存儲類型: Serial Flash
速度: 50 MHz
結構: Sector
商標: Microchip Technology
電源電流—最大值: 15 mA
濕度敏感性: Yes
產品類型: NOR Flash
標準: Not Supported
工廠包裝數量: 90
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
