SPI兼容接口，可實現低引腳數
占用較少電路板空間的封裝
降低系統總成本。 SST25VF016B-50-4I-S2AF器件是
改善了工作頻率，甚至提高了工作效率
功耗比原始SST25VFxxxA低
設備。 SST25VF016B-50-4I-S2AF SPI串行閃存為
采用SST專有的高性能制造
CMOS SuperFlash技術。分裂門單元設計
和厚氧化物隧道噴射器具有更好的可靠性
與替代方法相比的可制造性。
SST25VF016B-50-4I-S2AF器件顯著提高了性能和可靠性，同時降低了功耗。
設備通過單次電源寫入（編程或擦除）
為SST25VF016B-50-4I-S2AF提供2.7-3.6V的電源。總能量
消耗是施加電壓，電流和
申請時間。由于對于任何給定的電壓范圍，
SuperFlash技術使用較少的電流進行編程和
擦除時間更短，在此過程中消耗的總能量
任何擦除或編程操作都比其他操作少
閃存技術。
SST25VF016B-50-4I-S2AF器件提供兩種8引腳SOIC封裝
（200密耳）和8觸點WSON（6mm x 5mm）封裝。
引腳分配請參見圖2。
特征：SST25VF016B-50-4I-S2AF
•單電壓讀寫操作
– 2.7-3.6V
•串行接口架構
– SPI兼容：模式0和模式3
•高速時鐘頻率
–高達80 MHz
•高可靠性
–續航力：100,000個循環（典型）
–超過100年的數據保留
•低功耗：
–有效讀取電流：10 mA（典型值）
–待機電流：5 μA（典型值）
•靈活的擦除能力
–統一的4 KB扇區
–統一的32 KB覆蓋塊
–統一的64 KB覆蓋塊
•快速擦除和字節程序：
–芯片擦除時間：35毫秒（典型值）
–扇區/塊擦除時間：18毫秒（典型值）
–字節編程時間：7 μs（典型值）
•自動地址遞增（AAI）編程
–減少總的芯片編程時間
字節程序操作
•寫入結束檢測
–軟件輪詢狀態寄存器中的BUSY位
–在AAI模式下，SO引腳上的忙狀態讀數
•保持銷（HOLD＃）
–將串行序列掛起到存儲器
無需取消選擇設備
•寫保護（WP＃）
–啟用/禁用鎖定功能
狀態寄存器
•軟件寫保護
–通過中的塊保護位進行寫保護
狀態寄存器
• 溫度范圍
–商業：0°C至+ 70°C
–工業：-40°C至+ 85°C
•提供包裝
– 8引線SOIC（200密耳）
– 8觸點WSON（6mm x 5mm）
制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SST25VF
存儲容量: 16 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 15 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 50 MHz
組織: 2 M x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
存儲類型: Serial Flash
速度: 50 MHz
結構: Sector
商標: Microchip Technology
電源電流—最大值: 15 mA
濕度敏感性: Yes
產品類型: NOR Flash
標準: Not Supported
工廠包裝數量: 90
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
