制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PLUS-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Id-連續漏極電流: 170 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 258 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFB170N30
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 57 S
高度: 26.59 mm
長度: 20.29 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 29 ns
25
子類別: MOSFETs
類型: Polar Power MOSFET HiPerFET
典型關閉延遲時間: 79 ns
典型接通延遲時間: 41 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 1.600 g
IXFN64N60P
IXFN80N50P
IXFN82N60P
IXFP05N100M
IXFP10N60P
IXFP10N80P
IXFP12N50P
IXFP12N50PM
