制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PLUS-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 350 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Qg-柵極電荷: 310 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFB30N120P
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 56 ns
正向跨導 - 最小值: 13 S
高度: 26.59 mm
長度: 20.29 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Polar HiPerFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 95 ns
典型接通延遲時間: 57 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 1.600 g
IXFN140N30P
IXFN170N30P
IXFN180N15P
IXFN200N10P
IXFN20N120P
IXFN210N20P
IXFN26N100P
