CSD25404Q3 TI德州儀器采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD25404Q3特性
超低 Qg 和 Qgd
低熱阻
低 RDS(on)
無鹵素
符合 RoHS 標準
無鉛引腳鍍層
小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

CSD25404Q3應用
直流-直流轉換器
電池管理
負載開關
電池保護

CSD25404Q3說明
CSD25404Q3這款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率轉換和負載管理應用中的損耗。CSD25404Q3采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線 (SON) 封裝，可提供出色的封裝散熱性能。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-CLIP-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 104 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 650 mV
Qg-柵極電荷: 10.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD25404Q3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 13 ns
高度: 1 mm
長度: 3.3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 3.3 mm
單位重量: 44 mg


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