CSD19535KTT TI德州儀器采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19535KTT特性
超低 Qg 和 Qgd
低熱阻
雪崩額定值
無鉛引腳鍍層
符合 RoHS 環保標準
無鹵素
D2PAK 塑料封裝

CSD19535KTT說明
CSD19535KTT這款 100V、2.8mΩ D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 197 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 75 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD19535KTT
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導 - 最小值: 301 S
高度: 4.7 mm
長度: 9.25 mm
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 10.26 mm
單位重量: 2.200 g

OPA171AIDR
OPA171AQDBVRQ1
OPA188AIDR
OPA209AIDGKR
OPA211AIDR
OPA1654AIDR
OPA1654AIPWR
OPA1679IDR
OPA2132U/2K5
OPA2172IDR
OPA2189IDR
OPA2237UA/2K5
OPA2244EA/2K5
OPA2322AIDR
OPA2330AIDGKR
OPA2333AIDGKR
OPA2335AIDR
TPA3255DDVR
ADS1110A1IDBVR
DP83640TVVX/NOPB
INA181A3IDBVR
ISO7421DR
MAX3221IPWR
MSP430G2302IPW20R
OPA4171AIPWR
SN65HVD1781DR
SN74AVC4T774PWR
SN74CBTLV3126PWR
SN74LVC1G97DCKR
SN74LVC07APWR
TCAN1145DRQ1
TLC6C598QPWRQ1
TLC5917IDR
TLV70718PDQNR
TMP1075DSGR
TPS24770RGER
TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3
CSD15571Q2
CSD16321Q5
CSD16323Q3
CSD16327Q3
CSD17309Q3
CSD17311Q5
CSD17318Q2
CSD17484F4
CSD17506Q5A
CSD17551Q3A
CSD17573Q5B
CSD17577Q3A
CSD17577Q5A
CSD17578Q3A
CSD17579Q3A
CSD17579Q5A
CSD17581Q3A
CSD17581Q5A
CSD18502Q5B
CSD18509Q5B
CSD18510Q5B
CSD18513Q5A
CSD18514Q5A
CSD18531Q5A
CSD18541F5
CSD18563Q5A
CSD19502Q5B
CSD19505KCS
CSD19531Q5A
CSD19532Q5B
CSD19533KCS
CSD19533Q5A
CSD19535KTT