CSD19505KCS TI德州儀器采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19505KCS特性
超低 Qg 和 Qgd
低熱阻
雪崩級
無鉛端子鍍層
符合 RoHS
無鹵素
TO-220 塑料封裝

CSD19505KCS說明
CSD19505KCS這款 80V、2.6mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率轉換應用中的損耗。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V
Qg-柵極電荷: 76 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD19505KCS
封裝: Tube
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 6 ns
正向跨導 - 最小值: 262 S
高度: 16.51 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
單位重量: 2 g

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