CSD18531Q5A TI德州儀器采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18531Q5A特性
超低 Qg 和 Qgd
低熱阻
雪崩額定值
邏輯電平
無鉛引腳鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素
SON 5mm × 6mm 塑料封裝

CSD18531Q5A說明
CSD18531Q5A此 60V、3.5mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地減小電源轉換應用中的 損耗。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 36 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD18531Q5A
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
開發套件: DRV8711EVM
下降時間: 2.7 ns
高度: 1 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.8 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 4.4 ns
寬度: 4.9 mm
單位重量: 87.800 mg

TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3
CSD15571Q2
CSD16321Q5
CSD16323Q3
CSD16327Q3
CSD17309Q3
CSD17311Q5
CSD17318Q2
CSD17484F4
CSD17506Q5A
CSD17551Q3A
CSD17573Q5B
CSD17577Q3A
CSD17577Q5A
CSD17578Q3A
CSD17579Q3A
CSD17579Q5A
CSD17581Q3A
CSD17581Q5A
CSD18502Q5B
CSD18509Q5B
CSD18510Q5B
CSD18513Q5A
CSD18514Q5A
CSD18531Q5A