CSD18509Q5B TI德州儀器采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18509Q5B特性
超低導通電阻
低熱阻
雪崩額定值
邏輯電平
無鉛引腳鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素
SON 5mm × 6mm 塑料封裝

CSD18509Q5B說明
CSD18509Q5B這個 40V，1mΩ，SON5x6 NexFET™功率 MOSFET 的設計旨在追求以最大限度降低功率轉換應用中的功率損耗。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.4 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 195 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD18509Q5B
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 11 ns
高度: 1 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 57 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 134.400 mg

TPA3255DDVR
ADS1110A1IDBVR
DP83640TVVX/NOPB
INA181A3IDBVR
ISO7421DR
MAX3221IPWR
MSP430G2302IPW20R
OPA4171AIPWR
SN65HVD1781DR
SN74AVC4T774PWR
SN74CBTLV3126PWR
SN74LVC1G97DCKR
SN74LVC07APWR
TCAN1145DRQ1
TLC6C598QPWRQ1
TLC5917IDR
TLV70718PDQNR
TMP1075DSGR
TPS24770RGER
TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3
CSD15571Q2
CSD16321Q5
CSD16323Q3
CSD16327Q3
CSD17309Q3
CSD17311Q5
CSD17318Q2
CSD17484F4
CSD17506Q5A
CSD17551Q3A
CSD17573Q5B
CSD17577Q3A
CSD17577Q5A
CSD17578Q3A
CSD17579Q3A
CSD17579Q5A
CSD17581Q3A
CSD17581Q5A
CSD18502Q5B
CSD18509Q5B