CSD19532Q5B TI德州儀器采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19532Q5B特性
低 Qg 和 Qgd
低熱阻
雪崩級
無鉛引腳鍍層
符合 RoHS 環保標準
無鹵素
SON 5mm × 6mm 塑料封裝

CSD19532Q5B說明
CSD19532Q5B這款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 140 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 195 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD19532Q5B
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 6 ns
正向跨導 - 最小值: 84 S
高度: 1 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 22 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 105.300 mg

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