另一個最為關鍵的方面是保持柵氧的完整性。清洗工藝可能會破壞柵氧從而使其粗糙，RT9166-33GVL尤其是較薄的柵氧最易受到損害。在MOS晶體管中，柵氧是用來做絕緣介質的，因此它必須具有一致的結構、表面狀態和厚度。柵氧的完整性( GOI)是靠測試柵的電性短路來測量的引.

   對于后端r藝線( BEOI．)的清洗，除了顆粒問題和金屬離子的問題，通常的問題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、通孑L的清潔程度、有機物以及在金屬布線中總的短路和開路的數量。這些問題將在第13章中討論。光刻膠的去除也是FF,OL和BEOL都存在酌很重要的一種清洗工藝。它所存在的問題將在第9章中探討。

   不同的化學物質與清洗方法相結合以適應工藝過程中特殊步驟的需要。典型的FEOL清洗工藝（例如氧化前的清洗）列在圖5. 24中。所列出的FF.OL清洗稱為非HF結尾的T藝其他的類型是以HF去除工藝結尾的清洗。非HF結尾的表面是親水性的，呵以被烘干『斫不留任何水印，同時還會生成（在清洗過程中形成）一層薄的氧化膜從而對其產生保護作用．、這樣的表面也容易吸收較多的有機污染物。HF結尾的表面是厭水性的，在有親水性（氧化物）表面存在時不容易被烘干而不留水印。這樣的表面由于氫的表面鈍化作用而異常穩定川