晶圓表面的顆粒大小町以從非常大(50 ym)變化到小于1斗m。大的%啦可用傳統的化學浸泡池和相應的清水沖洗除去。，較小的顆粒被幾種很強的力量吸附在表面，RT9166A-12GX所以很難除去，一種是范德華( Van der Waals)力，這是一種在一個原子的電子和另一個原子的核之間形成的，很強的原子間吸引力。盡量減小這種靜電引力的技術是控制一種叫做z電勢( zetaF)0tential)的變鼉。z電勢是在顆粒周圍的帶電區與清洗液中帶相反電荷的帶電區域形成平衡的平衡電勢，這個電勢隨著速度（當晶圓在清洗池中移動時清洗液的相對移動速度），溶液的pH值和溶液中的電解質的濃度變化而變化的。同時，它還將受到清洗液中的添加劑，如表面活性劑的影響，，我們可以通過設定這些條件來得到一個與晶圓表面相同電性的較大電勢，從而產生排斥作用使得顆粒從晶圓表面脫落而保留在溶液中。

   表面張力引力是另外一個問題。它產生了顆粒與表面之間形成的液體橋（見圖5. 25）。表面張力可以比范穗華引力大32。表面活性劑或一些機械的輔助，例如兆頻超聲波，被用來去除表面的這嶁顆粒。

   清洗T藝多為…系列的步驟，用來將大小不一的顆粒同時除去。最簡單的顆粒去除工藝是用位于清洗臺的手持氮氣槍噴出的，經過過濾的高壓氮氣吹晶圓的表面。在存在小顆粒問題的制造區域，氮氣槍上配置了離子化器，從而除去氮氣流中的靜電，而使晶圓表面呈中性、

   氮氣槍是手持的，操作員在使用它的時候必須注意不要污染操作臺上的其他晶片或操作臺本身。通常在潔凈等級為1/10的凈化間中，不使用噴槍。