晶圓幾乎總是從一個清潔的區域來到光刻區域的，如氧化、摻雜、化學氣相淀積。ADCMP341YRJZ-REEL7然而，晶圓在存儲、裝載和卸載到片匣過程中，可能會吸附到一些顆粒狀污染物，而這些污染物是必須清除掉的。根據污染的等級和工藝的需要，可以用幾種不同的微粒清除方法（見圖8. 23）。最極端的情況是，可能會給晶圓進行化學濕法清洗，這種方法和氧化前清洗比較相似，。豈包括酸清洗、水沖洗和烘于。所使用的酸必須要和晶圓表面層兼容。微粒清除方法和第7章所介紹的是相同的：手動吹掃、機械洗刷和高壓水噴洗。

   我們已經提到過，晶圓表面必須要干燥以增加它的黏附性。一個干燥的表面稱做厭水性( hydrophobic)表面，它是一種化學條件。在厭水性表面上液體會形成小滴，例如水在剛剛打完蠟的汽車表面會形成很多小水珠？厭水性表面有益于光刻膠的黏結。晶圓在進行光刻蝕加工之前表面通常是厭水性的。．