對于濕法和干法刻蝕兩種工藝，EL2002CN有圖形的光刻膠層是受青睞的刻蝕阻擋層：，在濕法刻蝕中，對于光刻膠層幾乎沒有來自刻蝕劑的刻蝕。然而在干法刻蝕中，殘余的氧氣會刻蝕光刻肢層。光刻膠層必須保持足夠厚以應付刻蝕劑的刻蝕而不至于變薄出現空洞。有些結構使用淀積層作為刻蝕阻擋層來避免光刻膠層的損失（見第10章）。

   另一個與光刻膠相關的干法刻蝕問題是光刻膠烘焙。在于法刻蝕反應室內，溫度町以升高到200℃，一定的溫度可以把光刻膠烘焙至一個難以從晶圓去除的狀態。再一個和溫度相關的問題是光刻膠的流動傾向使圖形畸變。

   等離子體刻蝕中一個不希望的影響是側壁聚合物( sidewall polymer)淀積在刻蝕圖形的側壁，聚合物來自光刻膠。在接下來的氧氣等離子體光刻膠去除工序中，聚合物沉積可變成金屬氧化物18而難以去掉。