自對準結構
發布時間:2015/11/4 22:17:22 訪問次數:779
過刻蝕會使兩個結構的距離比預想的近。而工芝制成中，不可避免地存在過刻蝕，ADS7869IPZTR所以各個結構的對準變得至關重要，、一種解決辦法就是自對準結構( self-aligned structure)，比如MOS器件的柵極（見第16章）。定義柵極的同時也定義了源極或漏極（見圖10. 39）。打開源、漏區域是簡單的刻蝕去除氧化物的過程，源或漏區域薄的氧化層保證r柵極上的氧化層不會被刻蝕光。接下來的離子注入將離子注入在柵極附近源區或漏區。使用不同的氧
化層厚度和浸沒式刻蝕的這種基本技術可以定義或刻蝕其他結構。該設計使用柵極作為注入阻擋層。
過刻蝕會使兩個結構的距離比預想的近。而工芝制成中，不可避免地存在過刻蝕，ADS7869IPZTR所以各個結構的對準變得至關重要，、一種解決辦法就是自對準結構( self-aligned structure)，比如MOS器件的柵極（見第16章）。定義柵極的同時也定義了源極或漏極（見圖10. 39）。打開源、漏區域是簡單的刻蝕去除氧化物的過程，源或漏區域薄的氧化層保證r柵極上的氧化層不會被刻蝕光。接下來的離子注入將離子注入在柵極附近源區或漏區。使用不同的氧
化層厚度和浸沒式刻蝕的這種基本技術可以定義或刻蝕其他結構。該設計使用柵極作為注入阻擋層。
相關技術資料- 11-4自對準結構
公網安備44030402000607
