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刻蝕輪廓控制

發布時間:2015/11/4 22:19:24 訪問次數:481

   在第9章中,ADS7870EA各向異性刻蝕的概念用來說明形成豎直(或接近豎直)刻蝕側墻的一種方法。當刻蝕層實際上是多層不同材料疊在一起時,該問題變得更復雜[見圖10. 40(a)]。使用選擇性比較差的刻蝕劑會形成寬度不同的層面[見圖10. 40(b)]。多層刻蝕輪廓控制必須綜合考慮刻蝕劑化學成分、功率水平、系統壓力和設計。

   

   學習完本章后,你應該能夠:

   1.描述4種與曝光有關的效應,這4種效應都會引起光刻圖形畸變。

   2.描繪雙層光刻膠工藝的截面流程圖。

   3.描繪雙大馬士革制程工藝的截面流程圖。

   4.列舉兩種平坦化技術。

   5.說出圖形反轉工藝的優點。

   6.描述抗反射涂層、反差增強涂層和光刻膠染色劑是怎樣改進分辨率的。

   7.識別光刻掩模版的薄膜部分并講出它對光刻工藝的貢獻。


   在第9章中,ADS7870EA各向異性刻蝕的概念用來說明形成豎直(或接近豎直)刻蝕側墻的一種方法。當刻蝕層實際上是多層不同材料疊在一起時,該問題變得更復雜[見圖10. 40(a)]。使用選擇性比較差的刻蝕劑會形成寬度不同的層面[見圖10. 40(b)]。多層刻蝕輪廓控制必須綜合考慮刻蝕劑化學成分、功率水平、系統壓力和設計。

   

   學習完本章后,你應該能夠:

   1.描述4種與曝光有關的效應,這4種效應都會引起光刻圖形畸變。

   2.描繪雙層光刻膠工藝的截面流程圖。

   3.描繪雙大馬士革制程工藝的截面流程圖。

   4.列舉兩種平坦化技術。

   5.說出圖形反轉工藝的優點。

   6.描述抗反射涂層、反差增強涂層和光刻膠染色劑是怎樣改進分辨率的。

   7.識別光刻掩模版的薄膜部分并講出它對光刻工藝的貢獻。


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