載流子激發結深
發布時間:2015/11/10 20:03:00 訪問次數:780
裁流子激發是一種非破壞性結深測量技術,對于由離子注入的淺結特別有用7 它用,IRF4905SPBF個激光“點”(2斗m)在結區上方觸發(見圖14.16)二隨著激光束進入晶圓并穿過結區,在結處有過剩載流子堆積.第二束激光被過剩載流子區反射掉。通過分析那里的反射信號,確定結的深度。
這種系統可以測量檢測晶圓或直接在生產晶圓上測量結深,并且可以用做在線工藝控制測量。
關鍵尺寸和線寬測量
電路中每個元件所需的精確尺寸都要受全部工藝的控制和影響。垂直尺寸由摻雜和薄膜T藝設定,水平面尺寸在光刻工藝形成,而作為此工藝的一部分,關鍵尺寸(CD)會在顯影后的顯微鏡榆測和最終顯微鏡檢測時測量。
這些技術包括低技術顯微鏡圖像對比、SEM、散射儀、原子力顯微鏡(AFM)和器件電學測量.
裁流子激發是一種非破壞性結深測量技術,對于由離子注入的淺結特別有用7 它用,IRF4905SPBF個激光“點”(2斗m)在結區上方觸發(見圖14.16)二隨著激光束進入晶圓并穿過結區,在結處有過剩載流子堆積.第二束激光被過剩載流子區反射掉。通過分析那里的反射信號,確定結的深度。
這種系統可以測量檢測晶圓或直接在生產晶圓上測量結深,并且可以用做在線工藝控制測量。
關鍵尺寸和線寬測量
電路中每個元件所需的精確尺寸都要受全部工藝的控制和影響。垂直尺寸由摻雜和薄膜T藝設定,水平面尺寸在光刻工藝形成,而作為此工藝的一部分,關鍵尺寸(CD)會在顯影后的顯微鏡榆測和最終顯微鏡檢測時測量。
這些技術包括低技術顯微鏡圖像對比、SEM、散射儀、原子力顯微鏡(AFM)和器件電學測量.
上一篇:二次離子質譜法
上一篇:光學圖像剪切尺寸測量
熱門點擊
- 芯片和晶圓尺寸的增大
- 雙大馬士革銅工藝
- 電纜各支持點間的距離
- PE線的重復接地可以降低當相線碰殼短路時的設
- 四探針測試儀測量厚度
- 電壓損失是指線路始端電壓與末端電壓的代數差
- TT系統內的漏電保護器
- TN-C方式供電系統是用工作零線兼作接零保護
- 硅濕法刻蝕
- 載帶自動焊
推薦技術資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]