工廠設施成本及設施維護費用是成本的主要部分。制造區域僅占全部廠區面積的20%，SGH23N60UFDTU卻是費用開銷的主體。空調、化學品存放和發放，以及凈化間的成本都屬于主要的開銷。用于ULSI廠區的凈化間的成本相當于每平方英尺數千美元。地板開銷是選擇潔凈策略的重要因素（見第4章）。一個完全凈化間的布局要比一個混合／迷你型( mini)的環境方式更昂貴。但對后者來說，設備的開銷會更多。

   許多半導體公司維護它們擁有的晶圓制造設施并享受控制從設計到封裝全部運營的利益。它們被稱為集成器件制造商(IDM)。但是成本較高和內部的廠房經常閑置，因此推高了整個制造成本。高廠房成本產生的兩個結果是無制造廠半導體公司( fabless semiconductorcompany)和商業代工廠(merchant foundry)。無制造廠半導體公司進行電路設計，并與實際進行晶圓制造加工的商業代工廠簽訂合同。封裝可能在代工廠做，而晶圓／芯片可能轉移到商業封裝企業來完成這個階段。

   生產用材料分為直接材料和間接材料。直接材料是指那些直接進入到芯片中或加在芯片上的材料，包括晶圓材料、形成淀積層和摻雜層需要的材料以及化學品和封裝材料等。間接材料包括掩模版和放大掩模版、化學品、文具供應，以及其他支持工藝但進入到產品中的材料。

   這部分成奉來自于直接用于器件及晶圓制造的設備。在成本計算中以固定的一般管理費

用或折舊的形式出現。折舊是機器由于磨損或變得過時而造成的價值損失。

   轉到300 mm晶圓和現在450 mm晶圓已經遇到了設備成本的突然增加。在轉變階段，300 mm的工藝基本上與200 mm的工藝相同。這意味著除了尺寸不同外工藝設備相同。然而，更大的晶圓一般要求更長的傳輸時間和更長的加工時間，導致生產率損失。這些損失等同于更多的設備以維持生產配額和更多的費用。圖15.3比較了對于兩種直徑主要工藝設備的生產率。300 mm的新工藝對在線測量和監測的需求更大。更大直徑帶來的負面影響是如果晶圓被錯誤加工或良品率較低，則損失更大。現在，300 mm工藝正在繼續用銅金屬化，它帶著表面因素和新的低后介質材料進入圖像。如果整個系統工作在工藝最終端，監測和控制工藝設備這些步驟的每一步都是至關重要的。關鍵尺寸測量和電子束缺陷檢查系統已成為工藝內的要求，并增加到設備成本中。