氧化硅一硅電容器：NE5532硅平面技術的基礎是在硅晶圓上生長一層二氧化硅膜。金屬導線位于二氧化硅上面，就形成了一個簡單的電容器（見圖16.7）。回顧一下，電容器是由夾在兩個電極之間一個介質層構成的。這事實上就是MOS電容器結構。然而，為了使這種結構能發揮電容的作用，氧化物必須足夠薄（大約isoo A[l]）。上面的電極稱為電池板(cellplate)，下面的電極稱為存儲結(storage node)。

   電容器是一個儲存電荷的器件。一個電池就是一個電容器。當在金屬板上加上電壓后，氧化層下面晶圓表層就會右電荷積累（見圖16.7）。其電荷量是氧化層的厚度、氧化層的介電常數及其面積的函數，面積是由其上方的金屬板的面積決定的。這種結構的電容被稱為平行板電容器、單片電容器或MOS電容器（在金屬氧化物材料被用在三明治結構中以后）。

   在密集的集成電路中，我們用一種類似于三明治的氧化物一氮化物一氧化物( Oxide-Nitride -Oxide，ONO)作為介電質。這種合成后的薄膜有較低的介電常數，從而使電容器面積比傳統的二氧化硅電容器要小。在有些電路中，專門形成電容器以存儲電荷然而，只要金屬線位于一層硅上（或其他半導體材料上）的介質層上，就構成電容結構。在這種情況下，該電容器不應存儲電荷，這些電荷會干擾電路的工作。在這種情況下，介質層要足夠厚以防止該電容器存儲電荷，或使用低后介質材料（見第12章）。