結電容器：在器件中，每個結都是一個電容器。當每個結的兩邊被加上電壓時，載流子NE555DR就會離開結，形成耗盡區（見圖16.8）。在器件和電路中，這種耗盡區就起到了電容器的作用。

   圖16.7單片電容器    圖16.8耗盡層結電容器

   在設計電路時，必須考慮結電容效應。實際上，在一些電路中就把結電容作為電路設計的一部分。這種自煞的結電容有降低電路運行速度的效應，這是因為耗盡區在有電流流過之前需要一定的時間來“充滿”（或稱為充電）電容器。不同的結電容需要不同的時間來放電，這些充放電的時間影響著電路的開關和運行速度。溝槽電容器：對于晶圓表面的節省一直是電路設計的一個標準。金屬一氧化物電容器的一個問題就是它的面積相對比較大。而溝槽（隱埋）電容器可以解決這個問題。它是通過把溝槽豎直刻蝕到晶圓的表面從而形成電容器來實現的（見圖16.9）。對于溝槽的刻蝕可以用濕法技術（各向同性）或者干法技術（各向異性）。溝槽的側壁被氧化（介質材料），同時溝槽內部則填滿了沉積的多晶硅。最終形成由硅和多晶硅作為兩個電極，二氧化硅作為它們之間介電質的線狀結構。可以用其他介質材料替換二氧化硅以增加性能。