本書中涉及了分立式器件及集成電路的多種特性。有些特性是由封裝設計和封裝'I-藝直接衍生出來的（見圖18.3）。芯片的密度（集成度）決定了所需外部連接點的數目，TMS320DM365ZCE30集成度越高的芯片其表面積越大，外部連接點也越多。芯片越做越大的趨勢必然導致對更大直徑晶圓的需求。這些因素改變了劃片工藝、封裝設計和對晶圓減薄的需求。

   在前一章中捉到的芯片器件（三極管、二極管、電容器、電阻器和熔斷絲）的功能呵因各種各樣的污染而改變。最主要的污染是化學污染，如鈉和氯。另外，其他化學品可以攻擊芯片內的不同層次，還有環境因素，如微粒、濕度和靜電可以毀壞芯片或改變其性能。其他方面的考慮還有光和輻射粒子對芯片表面轟擊的影響。有些芯片對光和輻射粒子極其敏感。在選擇封裝材料和工藝時通常會考慮到這些因素。芯片的顯著特性是其表面在受到物理損傷時顯得極其脆弱。晶圓表面的器件距晶圓的外表面的距離相當小，表面的引線是細小且脆弱的。

   所關注的這些環境和物理因素可以從兩個方面來闡述。第一個是鄰近晶圓制造工藝結束處的鈍化層的淀積。這可能是基于二氧化硅和氮化硅的硬質層。鈍化層經常摻雜一些硼、磷或兩者兼備來增強它們的保護特性。可替換的可能是像聚酰亞胺這樣的軟質層（見圖18.4）第二種保護芯片的方法是由一個封裝體本身來提供。