為大的芯片設計的引腳在芯片上( LOC)封裝將壓焊點位置移到了芯片的中部。FM20L08-60TG封裝體的引腳坐在覆蓋于芯片表面的一個襯墊上。

   三維封裝

   “超越摩爾定律”已成為封裝文獻的口頭禪。它指出隨著晶體管按比例縮小，集成電路的密度正在最大限度地達到物理極限。公認的“超越摩爾定律”意味著在一個封裝體內封裝更多功能的技術，即通常所說的系統級封裝( SIP)。行業正在開發基于兩種基本方法的眾多方法：堆疊芯片和堆疊封裝體[封裝體上封裝體(PoP)]。

    芯片疊層技術

   4種芯片疊層技術：單片( monolithic)、晶圓上品圓(Wafer-on．Wafer)、晶圓上芯片( Die-on-Wafer)和芯片上芯片(Die-on-Die)。

   單片：單片技術是在晶圓制造過程中建立多個電路層。每個電路層之間使用金屬塞或多個金屬層通過技術。

   晶圓上晶圓：具有不同電路的單個晶圓被減薄，凸點或焊球鍵合在一起。3D分離把三維堆疊的全部互連。有些系統利用鉆通孔或刻蝕穿透晶圓使其可以鍵合，稱為穿透硅通孑L( TSV)。其他排列將不同尺寸芯片引線鍵合到封裝體的基板；另一個方案是對于凸點或焊球鍵合單個晶圓，和對于封裝體的額外的連接也使用引線鍵合（見圖18. 42）。