N型半導體中摻入的雜質為磷或其他五價元素,磷原子在取代原晶體結構中原子并構成共價鍵時, AD7892BR-1多余的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子,于是半導體中的自由電子數目大量增加,自由電子成為多數載流子,空穴則成為少數載流子。

   摻雜的目的是形成特定導電能力的材料區域,包括N型或P型半導體層和絕緣層,是制作各種半導體器件和IC的基本工藝。經過摻雜,原材料的部分原子被雜質原子代替。材料的導電類型決定于雜質的化合價。摻雜可與外延生長同時進行,也可在其后。例如,雙極型硅IC的摻雜過程主要在外延之后,而大多數GaAs及InP器件和C的摻雜與外延同時進行。

   擴散和離子注入是半導體摻雜的兩種主要工藝,兩者都被用來制作分立器件與集成電路,互補不足,相得益彰。擴散是較早時期采用的摻雜工藝,并沿用至今,而離子注入是20世紀60年代后發展起來的一種在很多方面都優于擴散的摻雜工藝。離子注入工藝大大推動了集成電路的發展,使集成電路的生產進入超大規模時代,是應用最廣泛的主流摻雜工藝。