擴散是一種基本的摻雜技術。通過擴AD7892BNZ-3散將一定種類和一定數量的雜質摻入到硅片或其他晶體中,以改變其電學性質。摻雜可形成雙極器件的基區、發射區和集電區,MOS器件的源區與漏區,以及擴散電阻、互連引線、多晶硅電極等。

   在硅中摻入少量Ⅲ族元素可獲得P型半導體,摻入少量V族元素可獲得N型半導體。摻雜的濃度范圍為1014~1021cm3,而硅的原子密度是5×1022cm3,所以摻雜濃度為1017cm3時,相當于在硅中僅摻入了百萬分之幾的雜質。

   P型半導體中摻入的雜質為硼或其他的三價元素,硼原子在取代原晶體結構中 的原子并構成共價鍵時,將因缺少一個價電子而形成一個空穴,于是半導體中的空穴數目大量增加,空穴成為多數載流子,自由電子則成為少數載流子。