3⒛m半節距仍是光刻成像方案的一個關鍵的轉折點。193nm的水浸沒工藝的數值孔徑有限, HAT2189WP難以充分解決這個節距的問題,除非通過雙圖形生成或曝光過程,將密集的節距分離成為更大的節距。這樣一來,光刻的成本也將加倍。

   對”nm半節距光刻來說,水浸沒193nm掃描器和雙圖形生成方法克服單模光刻缺陷的同時,會受到極大掩模版誤差增強因子(Mask EⅡor Enhanccmcnt Factor,MEEF)、晶圓線條邊緣粗糙性(Ⅱnc Edgc ROughne“,LER)和設計規則的限制。

    在付出更高成本采用多次曝光工藝后,上述問題能夠部分得到緩解。波長降至13.Snm的遠紫外線光刻(Ex饣cmc~uV Ⅱthography,EUVL),要比ArF激光的水浸沒式光刻的波長短一個數量級,給工業界帶來了發展摩爾定律的希望。預計在半節距達到11nm之前,不需要引入二次曝光。因此,對設計規則的限制會更少。

   深紫外光刻的挑戰:缺乏高功率源、高速光刻膠、無缺陷而高平整度的掩模帶來的延時。進一步的挑戰包括提高深紫外系統的數值孔徑到超過0.35,以及提高增加成像系統反射鏡數量的可能性。

多電子束無掩模光刻技術(Multiple~e-beam masklcss1ithography)具備繞過掩模難題,去除設計規則的限制,并提供制造靈活性的潛力。在顯示高分辨率影像和關鍵尺寸控制方面己經取得了進展。隨著圖形幾何尺寸的縮小,散粒噪聲開始制造麻煩。光刻膠在顯影以后的坍塌會將其高寬比限制在2.5~3之間,因此,每一代工藝進步后的光刻膠絕對厚度都減薄了。使用浸沒式光刻技術,光刻膠材料的顯影過程必須保證將光刻膠引發的缺陷率降到最低,這進一步限制了材料的選擇。對EUVL,光刻膠的氣體釋放會對精密的反射性光學表面形成污染。在為實現高吞吐率選擇高靈敏度光刻膠和為降低散粒噪聲選擇低靈敏度光刻膠、低LER等因素之間的折中,還將帶來更多問題,而不僅僅是光刻膠坍塌風險。電子束光刻膠也必須在靈敏度、散粒噪聲和LER之間進行折中,但是靈敏度要求不像EUVL那么高。