穩定性,要求在金屬化工藝后,該金屬與硅不發生反應;

   可刻蝕性,必須能夠采用常規的HB105刻蝕方法,確定金屬膜圖形;

   黏附性,該金屬與硅、s⒑2及薄膜所覆蓋的任何材料的黏附性要好;

   可壓焊,要求在壓焊時能夠形成良好的、牢固的電和機械接觸;

   抗電遷移性,在大電流密度下,金屬薄膜的完整性不被破壞,即金屬抗電遷移能力強;

   臺階覆蓋,要求具有良好的覆蓋臺階能力,即臺階覆蓋性好;

   可沉積性,要求薄膜易于沉積且在沉積過程中不改變器件的特性。

   在硅集成電路制造技術中所選擇的金屬有Al、Cu、W、△、%、Mo和Pt等。在硅集成電路制造技術中各種金屬和金屬合金可組合成下列種類:鋁、鋁銅合金、銅、阻擋層金屬、硅化物、金屬填充塞。