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金屬膜的沉積方法

發布時間:2016/6/13 21:45:53 訪問次數:1547

   物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)是以物理方式進行薄膜沉積的一種技術,HC4066金屬薄膜一般都是用這種方法沉積的。PVD主要有3種技術,分別是真空蒸發、濺射及分子束外延生長。金屬膜的物理氣相沉積通常在一個真空系統中進行。該系統由真空室(實際沉積就在其中進行,內置沉積部件、沉積源及加熱器等)、排氣系統及測量儀器等組成。

   在集成電路工藝中,利用物理氣相沉積金屬薄膜,最常用的方法是蒸發和濺射。真空蒸發時必須把待沉積金屬加熱到相當高的溫度,使其原子獲得足夠的能量而脫離金屬表面,當蒸發出來的金屬原子在飛行途中遇到硅片時,就沉積在硅片表面形成金屬薄膜。

   按熱源的不同,蒸發可分為電阻加熱蒸發和電子束蒸發兩種,由于前一種易帶來雜質污染,特別是鈉離子污染,而且很難沉積高熔點金屬和合金薄膜。因此,在VLsIVLsI制造中多采用電子束蒸發和磁控濺射法。

   物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)是以物理方式進行薄膜沉積的一種技術,HC4066金屬薄膜一般都是用這種方法沉積的。PVD主要有3種技術,分別是真空蒸發、濺射及分子束外延生長。金屬膜的物理氣相沉積通常在一個真空系統中進行。該系統由真空室(實際沉積就在其中進行,內置沉積部件、沉積源及加熱器等)、排氣系統及測量儀器等組成。

   在集成電路工藝中,利用物理氣相沉積金屬薄膜,最常用的方法是蒸發和濺射。真空蒸發時必須把待沉積金屬加熱到相當高的溫度,使其原子獲得足夠的能量而脫離金屬表面,當蒸發出來的金屬原子在飛行途中遇到硅片時,就沉積在硅片表面形成金屬薄膜。

   按熱源的不同,蒸發可分為電阻加熱蒸發和電子束蒸發兩種,由于前一種易帶來雜質污染,特別是鈉離子污染,而且很難沉積高熔點金屬和合金薄膜。因此,在VLsIVLsI制造中多采用電子束蒸發和磁控濺射法。

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6-13金屬膜的沉積方法

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