每一步濕法清洗的后面都跟著去離子水的沖洗
發布時間:2016/6/17 21:06:45 訪問次數:758
每一步濕法清洗的后面都跟著去離子水的沖洗。清水沖洗具有從表面上去除化學清洗液和H12CA4890終止氧化物的刻蝕反應的雙重功效。沖洗可用幾種不同的方法來實現。
未來的焦點集聚在提高沖洗效果和減少水的用量上。在尺寸為50nm的器件上,每平方英寸硅片的水用量由目前的1.13×1σ1m3減少到7.57×10Jm3。
高水平的工藝成品率是生產性能可靠的芯片并獲得收益的關鍵所在。本節將結合影響成品率的主要工藝及材料要素對主要的成品率測量點做出闡述。對于不同電路規模和成品率測量點的典型成品率也在本節中列出。
每一步濕法清洗的后面都跟著去離子水的沖洗。清水沖洗具有從表面上去除化學清洗液和H12CA4890終止氧化物的刻蝕反應的雙重功效。沖洗可用幾種不同的方法來實現。
未來的焦點集聚在提高沖洗效果和減少水的用量上。在尺寸為50nm的器件上,每平方英寸硅片的水用量由目前的1.13×1σ1m3減少到7.57×10Jm3。
高水平的工藝成品率是生產性能可靠的芯片并獲得收益的關鍵所在。本節將結合影響成品率的主要工藝及材料要素對主要的成品率測量點做出闡述。對于不同電路規模和成品率測量點的典型成品率也在本節中列出。
上一篇：累積晶圓生產成晶率
相關技術資料- 6-17每一步濕法清洗的后面都跟著去離子水的沖洗
- 相關IC型號
- H12CA4890
- 暫無最新型號
熱門點擊
公網安備44030402000607
