硅化物形成
發布時間:2016/6/18 20:55:07 訪問次數:687
為減小多晶硅的電阻以及金屬與多晶硅之間的接觸電阻,CMOs工藝普遍采用金屬硅化物工藝(Salicide)。 OP221GS金屬多采用鈦(△)或鈷(Co)。首先在圓片表面采用濺射的方式沉積一層△或Co,如圖4.15所示。隨后進行RTA退火,高溫下金屬和硅發生反應生成硅化物。接著采用濕法腐蝕,去掉未和硅反應的金屬而保留硅化物。然后再次進行RTA退火,降低金屬硅化物的電阻,如圖4,16所示。至此前段工序完成。
為減小多晶硅的電阻以及金屬與多晶硅之間的接觸電阻,CMOs工藝普遍采用金屬硅化物工藝(Salicide)。 OP221GS金屬多采用鈦(△)或鈷(Co)。首先在圓片表面采用濺射的方式沉積一層△或Co,如圖4.15所示。隨后進行RTA退火,高溫下金屬和硅發生反應生成硅化物。接著采用濕法腐蝕,去掉未和硅反應的金屬而保留硅化物。然后再次進行RTA退火,降低金屬硅化物的電阻,如圖4,16所示。至此前段工序完成。
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