前段工序完成器件制作后,后段工序進行器件之間的互連。0.18um CMOS的介質平坦化采用CMP工藝。孔的填充材料采用鎢(W),互連采用Al。 OP221GS-REEL首先沉積一層TEOS,然后沉積摻雜B和P的TEOS(BPsG)。摻雜B、P的TEOS具有較高的流動性,從而可以使得臺階覆蓋良好。最后進行平坦化處理,使圓片表面變得更加平坦,如圖4.17所示。沉積的TEOS和BPSG稱為金屬前介質。

   下一步進行接觸孔(ContaGt)的光刻,并進行干法腐蝕。腐蝕掉未被光刻膠覆蓋區域的介質。接著沉積△、△N和W。隨后進行金屬W的CMP,去除表面多余的W而只保留接觸孔的W,形成最終的接觸孔,如圖4.18所示。