界面陷阱在整個工作區域影響器件的性能,會影響閾值電壓、跨導等參數,N溝和P溝MOsFET都要受到熱載流子注入效應的影響。熱載流子效應包括載流子產生注入和柵氧化層中載流子的俘獲等過程。ESD5Z6.0T1G載流子注入是一種局域現象,僅僅發生在整個溝道的一部分區域中,對于NMOs器件已經報道了4種熱載流子產生注入機制,如圖5.4所示。 

   圖5,4 熱載流子注入機理

   溝道熱電子(CHE,Channel Hot Elcc訂on)

   部分電子在漏端附近的溝道區中被“加熱”形成幸運電子。幸運電子是那些從溝道中獲得的足以跨越Si/So2勢壘的能量且又沒有受到任何能量損失的碰撞電子,運電子注入到柵氧化層中會形成柵電流。這種熱電子對氧化層的注入就是溝道熱電子注入。