失效模式
發布時間:2016/6/22 21:32:44 訪問次數:526
失效模式。雙極性A387B淺結器件E―B結退化,硅一鋁反應形成的滲透坑多發生在接觸孔四周,這是因為該處溶解的硅可向旁側擴散,降低了界面處硅的含量,允許硅進一步溶解。另外邊緣處⒏o2與硅應力增大了該處的溶解能力,所以在接觸窗口邊緣,能發生較深的滲透坑。這在雙極性小功率淺結器件(如微波器件、超高速ECL電路)中容易引起E―B結退化,反向漏電增加,擊穿特性由原來的硬擊穿變為軟擊穿,明顯地表現為一個電阻跨接在E―B結上,嚴重時造成如圖5.28所示的PN結短路。鋁的合金化過程中,或者在器件受到強電流沖擊的過電應力時,常發生這類失效。
失效模式。雙極性A387B淺結器件E―B結退化,硅一鋁反應形成的滲透坑多發生在接觸孔四周,這是因為該處溶解的硅可向旁側擴散,降低了界面處硅的含量,允許硅進一步溶解。另外邊緣處⒏o2與硅應力增大了該處的溶解能力,所以在接觸窗口邊緣,能發生較深的滲透坑。這在雙極性小功率淺結器件(如微波器件、超高速ECL電路)中容易引起E―B結退化,反向漏電增加,擊穿特性由原來的硬擊穿變為軟擊穿,明顯地表現為一個電阻跨接在E―B結上,嚴重時造成如圖5.28所示的PN結短路。鋁的合金化過程中,或者在器件受到強電流沖擊的過電應力時,常發生這類失效。
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相關技術資料- 6-22失效模式
- 相關IC型號
- A387B
- 暫無最新型號
公網安備44030402000607
