無論CE理論還是CV理論,都能使集成電路性能得到改善,集成度得到顯著提高c但各自H5TQ4G83AFR-PBC都存在由于過低的電壓量(CE理論)或過高的電場強度(CV理論)所帶來的一系列性能限制。采用CE理論或CV理論縮小集成電路,器件性能并不能得到最佳化。

   事實上,按比例縮小的理論中,并不是所有的幾何尺寸或其他參數的改變都能帶來好處。例如,如果場氧化層厚度和互連線的厚度能保持不變,則可使互連線的電阻保持不變,而其電容卻縮小'倍。相應地,互連線的時間常數以′倍減小,與電路中器件的性能改善相匹配。

襯底濃度的過分提高會使載流子的有效遷移率減小,使漏和源PN結的寄生電容增大,還會帶來體效應的增大,這是應該避免的。在按比例縮小的理論中,提高襯底濃度的目的,是要使耗盡層寬度按比例縮小。但是只有耗盡層的橫向寬度才是防止穿通的主要參數,而這種耗盡層的橫向擴展可以通過溝道離子注入改變溝道表面濃度而得到控制,并無必要改變體襯底濃度。假定注入劑量不變,而注入深度按比例縮小,貝刂表面濃度按比例增大,襯底的摻雜濃度就可以不變。