MOS電容由金屬層(Metal)、氧化層(Oxide)和半導體(Semi∞nductor)襯底組成。M0334RJ200由于所有半導體元器件的可靠性、穩定性與表面特性有密切的關系,在研究半導體表面特性時,MOS電容是最常用的基本結構,其結構如圖9.8所示。

   (a)MOs電容組成               (b)MOS電容的結構

   圖98 MOs電容及等效電路圖

   MOs結構實際就是一個電容,因此當金屬與半導體之間加電壓后,在金屬與半導體相對的兩個面上就要被充電。兩者所帶的電荷符號相反,電荷分布情況也很不同。在金屬中自由電子密度很高,電荷基本分布在一個原子層的厚度范圍內;而在半導體中,自由載流子的密度要低得多,電荷必須分布在一定厚度的表面層內,這個帶電的表面層稱為空間電荷區。在空間電荷區內電場逐漸減弱,到空間電荷區的另一端電場減小為零。另一方面空間電荷區內的電勢也會隨距離逐漸變化,因此半導體表面相對體內產生電勢差,同時能帶也發生彎曲。稱空間電荷層兩端的電勢差為表面勢。表面勢及空間電荷區內電荷的分布情況隨金屬與半導體間所加的電壓/Gs而變化,可以分為堆積、耗盡和反型3種狀態。