MOs管的Dummy

   在MOS管的兩側增加Dummy POly,避免柵的長度受到影響,如圖8.17所示。ADR510ART-R2當要加保護環時,對NMOS管先加P型保護環連接到地,接著加N型保護環連接到電源。對PMOS先加N型保護環連接到電源,接著加P型保護環連接到地。

   類似于MOs的Dummy方法,有時會在四周都增加Dummy。在多晶或擴散區電阻的下面增加N阱可以減輕噪聲對電阻的影響,N阱連接高電位與襯底反偏,如圖8.18(a)所示。為了降低光照使電阻阻值下降的影響,應在N阱電阻上面覆蓋金屬并連接高電位。

電容增加Dummy方法與MOs管類似,N阱用于阻擋來自襯底的噪聲,N阱接高電位,而襯底則反偏,如圖8.18(b)所示。