MOs電容的高頻特性分析
發布時間:2016/7/1 22:12:32 訪問次數:1188
所用樣品分別采用H和S公司的0.18um CMOS工藝加工制作。圖9,I4給出了兩家公司不同面積的MOs電容在強積累偏置條件下的電容值,CAP005DG每個測量點對應著一個MOs電容的電容值。從圖中可以看出,對于相同面積的MOs電容,s公司MOS電容樣品的電容值均大于H公司MOS電容樣品的電容值。用MINITAB軟件對兩批樣品的高頻電容(鱺h/鱺繼)數據進行正態檢驗。如圖9.15所示,S公司樣品正態檢驗P值小于0。OO5表示其不滿足正態分布。H公司測試數據的正態檢驗如圖9.16所示,H公司樣品正態性檢驗結果說明其分布滿足正 態性檢驗。
所用樣品分別采用H和S公司的0.18um CMOS工藝加工制作。圖9,I4給出了兩家公司不同面積的MOs電容在強積累偏置條件下的電容值,CAP005DG每個測量點對應著一個MOs電容的電容值。從圖中可以看出,對于相同面積的MOs電容,s公司MOS電容樣品的電容值均大于H公司MOS電容樣品的電容值。用MINITAB軟件對兩批樣品的高頻電容(鱺h/鱺繼)數據進行正態檢驗。如圖9.15所示,S公司樣品正態檢驗P值小于0。OO5表示其不滿足正態分布。H公司測試數據的正態檢驗如圖9.16所示,H公司樣品正態性檢驗結果說明其分布滿足正 態性檢驗。
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