反射電極膜系主要有Ni/Au、ITO、多層金屬作為插入層等體系。EP1C3T144C8研究者對Ni/Au插入層膜系研究較為透徹。Ni/Au(5nd5nm)經空氣或o2氛圍退火,在p-⒍Ⅸ表面得到良好的歐姆接觸,主要是因為一方面金屬本身電阻率低,即生成了富Au合金相的生成;另一方面由于N⒑的生成,使得金屬與少GaN的接觸電阻低。由于Ni對0的親和力比Au大,在空氣或者o2氛圍退火過程中,Ni原子向外擴散與表面的0形成Nio,N0是一種p型半導體材料,同時Au向內擴散,形成不連續的Au島,與少GaN緊密接觸。

   作為金屬與p-GaN之間的中間接觸層,使得Ni/Au幻-GaN接觸變為p-p雙異質結Au/p-Nio/p-⒍N.其 中AwV-Ni0和p-Nio/p-GaN的接觸勢壘很低,分別為0,3cV和0.185eV,很容易形成良好的歐姆接觸,因此Au/p-NiO/p-GaN結構具有較低的接觸電阻卩劍。不過也有人對于Ni/Au體系能與少GaN形成好的歐姆接觸的機理持其他觀點,Macda等人卩劍認為是在o2氛圍下,Mg一H鍵斷裂使得p-GaN空穴濃度提高,而并非中間接觸層p-Ni0的形成。采用Ni/Au/Ag作為倒裝結構LED的電極體系,工藝相對簡單成熟,但存在一些主要的缺點。