合理的設計LED外延和芯片結構對提高LED發光效率起著重要的作用,AlGaInP LED的結構發展經歷了吸收襯底結構、分布布拉格反射鏡(DBR)結構、透明襯底結構、BAF04-24093-0500薄膜倒裝結構等發展過程,AlGaInP LED的外延和芯片結構還在不斷的改進發展,每一次結構的改進,都是為了提高LED的光提取效率。下面介紹正裝和倒裝AlGaInP LED芯片的制備工藝流程。

   6,日,1 正裝A丨Ga丨nP LED心片結構及制備工藝 典型的AlC.aInP吸收襯底LED的外延結構是由上、下限制層和發光的有源區構成,頂 層重摻雜是用來制作歐姆接觸的層,其外延片和芯片結構如圖6-l所示。有源層采電流擴展層  用多量子阱結構,可以更好的把載流子限上限制層   制在有源區。由于AlGaInP紅光LED的

MQW多量了 外延層是生長在與之晶格匹配并且導電下限制層   的n型G獻s襯底上的,因此器件具有上緩沖下結構,即器件的正、負電極分別做在器GaAs襯底件的正面和背面。如圖⒍1所示就是一個

N電極典型的正裝LED芯片剖面示意圖。AlGaInP LED的正裝芯片制造工藝過程 相對簡單,其工藝流程如圖⒍2所示。