LED芯片是半導體發光器件的核心部件,其不同JS28F128J3D75 的結構設計與實現對半導體器件的發光效率和使用壽命有極大的影響。目前,CIaN基LED芯片的結構主要有正裝結構、倒裝結構和垂直結構三種,包括常規芯片、倒裝芯片、垂苴薄膜和薄膜倒裝芯片等。

   常規芯片(CC)

   圖5-27是常規芯片(CC,Collvcnti0na1Chp)典型結構的示意圖,這是一種在具有藍寶石襯底外延片上最容易實現的LED芯片結構(正裝結構,芯片正面朝上正面出光),也是日前普遍采用的一種結構形式。由于藍寶石襯底不導電,無法直接連接外電路負極,所以需要將n型GaN材料暴露出來,通常是在p型GaN材料表面通過向下刻蝕,沉積金屬觸片的I藝來實現。Mg摻雜GaN的p型薄膜具有一定的電阻(約1Ω・cm),向外電路正極引線的電流擴展能力很差;同時多量子阱發光層發出的光又要經過p-⒍N薄膜正面出光,所以在常規芯片表面會沉積一層透明的導電材料,如ITo、NiAu、ZnO等。因為pll結區發出的光子是非定向的,即向各個方向發射具有相同的概率,在常規芯片結構中一般會在藍寶石襯底底部加一層金屬反射層,以增加芯片的出光效率。藍寶石襯底的熱導率只有約30Wln1Kl,僅僅是銅熱導率的1/10,所以常規芯片的最大缺點是散熱性能不佳。特別是大功率LED芯片中,在大電流的情況下芯片散熱成為影響其亮度和壽命的突出問題。另外,常規芯片中由于不同層材料導電率的不同,會導致垂直注入有源層的電流密度分布不均勻,如果電極結構和尺寸設計不匹配,很容易造成電流集邊效應;且p、n電極在芯片的同一側,電流必須橫向通過ll-GaN層,導致電流擁擠,局部發熱量高,限制了驅動電流。具有正裝結構的常規芯片是小功率芯片中普遍使用的芯片結構,目前已經廣泛地應用于背光、裝飾和顯示等領域,但在需要大功率芯片()1W)的通用照明領域應用受到了很大的限制。