工藝過程中具有較低的熱開銷(Thermal Budgct),以減少熱擴散過程中的雜質再分布。 OMAPL138BZWTD4近幾年來對薄柵介質層研究主要集中在解決上述所提到的一些問題上,可分為迮大類主流方法,即各種預氧化清潔工藝、各種氧化△藝、化學改善柵氧化層工藝和沉積氧化層或疊層氧化硅作為柵介質。薄氧化層的生長必須足夠慢,才能保證獲得均勻性和重復性較好的⒏O2層。薄氧化層生長情況及氧化層性質與清洗工藝和所用試劑的純度有著密切的關系。薄氧化層生長工藝包括干氧氧化、含有H¤的干氧氧化、濕氧氧化、減壓氧化和低溫高壓氧化等。工藝條件對氧化層質量有重大影響,例如,高溫生長的氧化層比低溫生長的氧化層缺陷密度高;用HCl氣氛鈍化鈉離子、改善擊穿電壓和吸除硅中的雜質和缺陷,在較高溫度下進行效果才好。為了生長高質量的薄氧化層,可采用兩步氧化工藝:先在中等溫度(低于或等于100O℃)下用干氧、H2氣氛形成均勻、可重復的低缺陷密度氧化層,再在1150℃溫度下于、、0和HCl氣氛中進行熱處理,這一步達到鈍化目的和得到所希望的氧化層厚度。

    采用低壓G⑩是目前生長薄氧化層的一種有效方法。一般I藝條件是,溫度在∞0~10∞℃,氧的壓力為33.33~266.m%,可生長出從幾十至⒛0A厚度的薄氧化層。這種方法生長的氧化層,其腐蝕速率與950℃和一個大氣壓干氧氧化生長的氧化層的腐蝕速率一樣,其他性質也均能達到滿意的效果。快速熱氧化(Ra“d Thermd O茹da0oll,RTo)工藝適合用于生長深亞微米芯片所需的超薄氧化層。一般而言,對0,25um工藝,其柵氧化層厚度在6~7nm之間;對0.18um工藝,其柵氧化層厚度只有4nm;對0.13um工藝,其柵氧化層厚度只有3nm。cMOS器件尺寸越來越小,柵介質越來越薄。利用RTO工藝生長的超薄氧化層一般具有極好的電學特性,可與傳統高溫氧化爐生長法相比擬,甚至更好。